杏彩体育,杏彩平台,杏彩,杏彩娱乐,杏彩体育APP,杏彩体育官方网站,体育投注平台,足球下注,电竞赔率,注册彩金国家知识产权局信息显示，西安交通大学;国网陕西省电力有限公司电力科学研究院申请一项名为“一种自旋调控电子器件及其制备方法”的专利，公开号CN121510859A，申请日期为2025年11月。

　　专利摘要显示，本发明属于自旋电子器件技术领域，公开了一种自旋调控电子器件及其制备方法，所述电子器件包括绝缘衬底、磁性层、拓扑绝缘体、顶电极和离子源；绝缘衬底、磁性层、拓扑绝缘体和顶电极自下而上依次沉积设置；离子源放置在拓扑绝缘体上，离子源上放置有离子驱动电极；磁性层、拓扑绝缘体、顶电极复合薄膜结构刻蚀成霍尔棒Hall Bar结构，霍尔Hall十字区域的拓扑绝缘体不受顶电极覆盖，霍尔Hall电极区域的拓扑绝缘体受顶电极覆盖。本发明使用水掺杂离子液体实现低电压离子注入，克服了现有自旋霍尔角增强手段中体积大、能耗高、薄膜质量要求高的问题。

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